منتجات

1030 نانومتر 200 ميجاوات 100 كيلو هرتز DFB فراشة ليزر ديود
  • 1030 نانومتر 200 ميجاوات 100 كيلو هرتز DFB فراشة ليزر ديود 1030 نانومتر 200 ميجاوات 100 كيلو هرتز DFB فراشة ليزر ديود
  • 1030 نانومتر 200 ميجاوات 100 كيلو هرتز DFB فراشة ليزر ديود 1030 نانومتر 200 ميجاوات 100 كيلو هرتز DFB فراشة ليزر ديود
  • 1030 نانومتر 200 ميجاوات 100 كيلو هرتز DFB فراشة ليزر ديود 1030 نانومتر 200 ميجاوات 100 كيلو هرتز DFB فراشة ليزر ديود
  • 1030 نانومتر 200 ميجاوات 100 كيلو هرتز DFB فراشة ليزر ديود 1030 نانومتر 200 ميجاوات 100 كيلو هرتز DFB فراشة ليزر ديود

1030 نانومتر 200 ميجاوات 100 كيلو هرتز DFB فراشة ليزر ديود

1030nm 200 ميجاوات 100 كيلو هرتز DFB الفراشة ليزر ديود هو صمام ثنائي ليزر حزمة فراشة DFB عالي الطاقة وضيق العرض، يستخدم على نطاق واسع كمصادر بذور لليزر الألياف أو للقياسات الطيفية الدقيقة.

إرسال استفسار

وصف المنتج

1. الملخص:

1030nm 200 ميجاوات 100 كيلو هرتز DFB الفراشة ليزر ديود هو صمام ثنائي ليزر حزمة فراشة DFB عالي الطاقة وضيق العرض، يستخدم على نطاق واسع كمصادر بذور لليزر الألياف أو للقياسات الطيفية الدقيقة.


2. الميزات:

• 200mW انتاج الطاقة العالية.

• أقل من 100 كيلو هرتز من عرض الخط الضيق.

• ألياف PM تتجاوز 18 ديسيبل عالية لكل؛

• حزمة الفراشة ذات 14PIN؛

• مضخة حرارية كهروحرارية داخلية وصمام ثنائي ضوئي.

• موثوقية عالية مثبتة ميدانيًا.

مصداقية:تيلكورديا GR-468. بنفايات


3. التطبيقات:

• مصدر البذور لليزر.

• التحليل الطيفي.

• الاستشعار البصري.


4. الحد الأقصى المطلق للتقييمات

المعلمة رمز دقيقة. الأعلى. وحدة
LD عكس التيار إر - 2 V
LD إلى الأمام الحالي لو - 500 أماه
MPD عكس الجهد VMPD - 20 V
جهد التبريد الحراري فتك - 4.8 V
تيار التبريد الحراري ITEC - 2.5 A
درجة حرارة حالة التشغيل ح -45 70 ℃
درجة حرارة التخزين TSTG -40 85 ℃
رطوبة التخزين - 5 85 نسبة الرطوبة النسبية %
التفريغ الكهربائي الساكن (ESD) VSD - 500 V
درجة حرارة لحام الرصاص ستيمب - 260 ℃
وقت لحام الرصاص ستيم 10 ثانية


5. الخصائص الكهربائية الضوئية (درجة حرارة الليزر 25 درجة مئوية):

المعلمة رمز حالة دقيقة. اكتب. الأعلى. وحدة
مركز الطول الموجي lect ج TL = 15~35 درجة مئوية 1028 1030 1032 نانومتر
طاقة الإخراج الضوئية ص ليرة تركية = 25 درجة مئوية - 200 - ميغاواط
العتبة الحالية إيث ليرة تركية = 25 درجة مئوية - 45 70 أماه
جهد التشغيل VOP بوب = 200 ميجاوات (CW) - - 2.5 V
التشغيل الحالي إيوب بوب = 200 ميجاوات (CW) - 300 500 أماه
عرض الخط Δ - - 30 100 كيلوهرتز
نسبة قمع الوضع الجانبي سمسر - - 40 - ديسيبل
نسبة انقراض الاستقطاب إير - 18 - - ديسيبل
درجة حرارة. معامل الطول الموجي Δω/ΔT - - 0.08 - نانومتر/درجة مئوية
استجابة MPD إيمون/بوب @-5V الجهد التحيز 1 - 30 ميكرو أمبير/ميغاواط
مقاومة الثرمستور RTH - 9.5 10 10.5 ك أوم


6. مواصفات الألياف الضوئية:

حدود وصف
نوع الألياف PM980
نوع ضفيرة 900μm أنبوب فضفاض
طول الضفيرة 1.2 ± 0.1 م
نوع الموصل FC/APC


7.  رسم الحزمة وتعريف PIN-OUT (الوحدة: مم):

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode

النوع 2

1030nm 200mW 100KHz DFB Butterfly Laser Diode
دبوس وصف دبوس وصف
1 المجلس التنفيذي (+) 14 المجلس التنفيذي (-)
2 الثرمستور 13 أرض القضية
3 أنود مراقب PD (-) 12 نورث كارولاينا
4 كاثود مراقب PD (+) 11 كاثود الليزر (-)
5 الثرمستور 10 أنود الليزر (+)
6 نورث كارولاينا 9 نورث كارولاينا
7 نورث كارولاينا 8 نورث كارولاينا
الكلمات الساخنة: 1030nm 200 ميجاوات 100 كيلو هرتز DFB فراشة ليزر ديود، المصنعين، الموردين، بالجملة، مصنع، حسب الطلب، السائبة، الصين، صنع في الصين، رخيصة، السعر المنخفض، الجودة

الفئة ذات الصلة

إرسال استفسار

لا تتردد في تقديم استفسارك في النموذج أدناه. سوف نقوم بالرد عليك خلال 24 ساعة.
X
نحن نستخدم ملفات تعريف الارتباط لنقدم لك تجربة تصفح أفضل، وتحليل حركة مرور الموقع، وتخصيص المحتوى. باستخدام هذا الموقع، فإنك توافق على استخدامنا لملفات تعريف الارتباط. سياسة الخصوصية
يرفض يقبل