300um InGaAs Photodiode Chip
  • 300um InGaAs Photodiode Chip300um InGaAs Photodiode Chip

300um InGaAs Photodiode Chip

تقدم شريحة InGaAs Photodiode 300um استجابة رائعة من 900 نانومتر إلى 1700 نانومتر ، مما يجعلها مثالية للاتصالات والاكتشاف القريب من الأشعة تحت الحمراء. يعتبر الثنائي الضوئي مثاليًا للنطاق الترددي العالي وتطبيقات المحاذاة النشطة.

إرسال استفسار

وصف المنتج

1. ملخص من 300um InGaAs Photodiode Chip

تقدم شريحة InGaAs Photodiode 300um استجابة رائعة من 900 نانومتر إلى 1700 نانومتر ، مما يجعلها مثالية للاتصالات والاكتشاف القريب من الأشعة تحت الحمراء. يعتبر الثنائي الضوئي مثاليًا للنطاق الترددي العالي وتطبيقات المحاذاة النشطة.

2. إدخال 300um InGaAs Photodiode Chip

تقدم شريحة InGaAs Photodiode 300um استجابة رائعة من 900 نانومتر إلى 1700 نانومتر ، مما يجعلها مثالية للاتصالات والاكتشاف القريب من الأشعة تحت الحمراء. يعتبر الثنائي الضوئي مثاليًا للنطاق الترددي العالي وتطبيقات المحاذاة النشطة.

3. ميزات 300um InGaAs Photodiode Chip

نطاق الكشف 900nm-1650nm ؛

سرعة عالية؛

استجابة عالية

سعة منخفضة

تيار مظلم منخفض

أعلى هيكل مستو مضاء.

4. تطبيق 300um InGaAs Photodiode Chip

يراقب؛

أدوات الألياف الضوئية.

اتصالات البيانات.

5. تقييمات قصوى مطلقة من 300um InGaAs Photodiode Chip

معامل رمز قيمة وحدة
الجهد العكسي VRmax 20 V
تيار إلى الأمام - 10 أماه
درجة حرارة التشغيل إلى PR -40 إلى +85
درجة حرارة التخزين تستغ -55 حتى +125

6. الخصائص الكهروضوئية (T = 25) لشريحة ثنائي ضوئي InGaAs 300um

معامل رمز شرط دقيقة. النوع. الأعلى. وحدة
نطاق الطول الموجي λ   900 - 1650 نانومتر
الاستجابة R Î »= 1310 نانومتر 0.85 0.90 - أ / دبليو
Î »= 1550 نانومتر - 0.95 -
Î »= 850 نانومتر - 0.20 -
الظلام الحالي هوية شخصية Vr = 5V - 1.0 5.0 غير متوفر
السعة C VR = 5V ، f = 1 ميجا هرتز - 4.2 6.0 ص
باندويث وزن الجسم 3dB أسفل ، RL = 50Î © - 1.8 - جيجاهرتز

7. معلمة البعد من 300um InGaAs Photodiode Chip

معامل رمز قيمة وحدة
قطر المنطقة النشطة D 300 أم
قطر وسادة الرابطة - 80 أم
حجم يموت - 420 × 420 أم
سمك القالب t 180 ± 20 أم

8. تسليم وشحن وخدمة 300um InGaAs Photodiode Chip

تم اختبار جميع المنتجات قبل الشحن ؛

تتمتع جميع المنتجات بضمان من 1-3 سنوات (بعد فترة ضمان الجودة بدأت في فرض رسوم خدمة الصيانة المناسبة.)

نحن نقدر عملك ونقدم سياسة إرجاع فورية لمدة 7 أيام. (7 أيام بعد استلام العناصر) ؛

إذا كانت العناصر التي تشتريها من متجرنا ليست بجودة مثالية ، أي أنها لا تعمل إلكترونيًا وفقًا لمواصفات الشركات المصنعة ، فما عليك سوى إعادتها إلينا لاستبدالها أو استرداد ثمنها ؛

إذا كانت العناصر معيبة ، يرجى إعلامنا في غضون 3 أيام من التسليم ؛

يجب إرجاع أي عناصر في حالتها الأصلية للتأهل لاسترداد الأموال أو الاستبدال ؛

يتحمل المشتري جميع تكاليف الشحن المتكبدة.

8. التعليمات

س: ما هي المنطقة النشطة التي تفضلها؟

ج: لدينا 0.3 مللي متر 0.5 مللي متر 1 مللي متر 2 مللي متر منطقة نشطة InGaAs Photodiode Chip.

س: ما هي متطلبات الموصل؟

ج: يمكن تخصيص Box Optronics وفقًا لمتطلباتك.

الكلمات الساخنة: 300um InGaAs Photodiode Chip ، المصنعين ، الموردين ، بالجملة ، المصنع ، حسب الطلب ، السائبة ، الصين ، صنع في الصين ، رخيصة ، السعر المنخفض ، الجودة
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept